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  • W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA存储器类型易失
存储器格式DRAM技术SDRAM - 移动 LPSDR
存储容量128Mb存储器组织4M x 32
存储器接口并联时钟频率166 MHz
写周期时间 - 字,页15ns访问时间5.4 ns
电压 - 供电1.7V ~ 1.95V工作温度-25°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装型封装/外壳90-TFBGA
供应商器件封装90-VFBGA(8x13)

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