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  • WAS350M12BM3

WAS350M12BM3

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  • 价格:1 : ¥7,262.47000盒
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  • 产品状态:在售
产品属性
描述SIC, MODULE, 350A, 1200V, 62MM,技术碳化硅(SiC)
配置2 个 N 通道(半桥)FET 功能-
漏源电压(Vdss)1200V(1.2kV)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)417A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.2 毫欧 @ 350A,15V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.6V @ 85mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)844nC @ 15V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)25700pF @ 800V
功率 - 最大值-工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型底座安装封装/外壳模块
供应商器件封装-

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