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  • XN0NE9200L

XN0NE9200L

  • 制造商:-
  • 数据列表:XN0NE9200L View All Specifications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.227
产品属性
描述MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5PFET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点二极管(隔离式)漏极至源极电压(Vdss)12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧 @ 800mA,4V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大600mW
安装类型表面贴装封装/外壳SC-74A,SOT-753
供应商设备封装迷你型5-G1包装带卷 (TR)
其它名称XN0NE9200LTR

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