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ZHB6792TC

  • 制造商:-
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 NPN + 2 PNP (H 半桥)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述TRANS H-BRIDGE BIPO SOT223-8电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)70VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 50mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 100mA,2V
功率 - 最大1.25W频率 - 转换100MHz
安装类型表面贴装封装/外壳SOT-223-8
供应商设备封装SOT-223包装带卷 (TR)

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