| 描述 | Transistors Switching (Resistor Biased) - | 最大工作频率 | 150 MHz |
|---|---|---|---|
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 35 V | 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 功率耗散 | 300 mW | 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
((ilmax·r1)-vbe)/ipmax，即约为11 kω。将560 mv这一电压值用作vbe，就会使il和ip之间的关系最佳。 将晶体管反接（即互换q1的集电极连线和发射极连线），就会产生更为陡峭的导通阈值电压（约为500 mv），但却使ip对il曲线的斜率降低。在本例中，晶体管反接要求将r2的阻值减小到约7.5 kω。 虽然反接的晶体管电路需对电阻器的阻值进行一些试验才能获得最佳性能，但却可提供更陡峭的阈值，因此可以进行更符合实际的仿真。几乎任何一种pnp双极性结型晶体管（例如ztx502）都可用作q1，而将r2的阻值减小30%可以使ip保持在所需的ip标称值的±5%以内。 要注意的是，即使是同一批的产品，激光二极管的特性也相差很大，因此使用优选值电阻器作为r1和r2不会对性能造成什么实际的差别。激光二极管的典型正向压降约为2v，因此在全电流下，仿真器电路不应该再降低电压。此外，仿真器电路的响应也比激光二极管慢，不过，如果反馈电路的工作速度更慢（通常就是如此）的话，仿真器的慢速响应就不会有什么问题。 适用于n型激光二极管的仿真器需要一个npn晶体管，并且要求反接。更复杂的激光 ...
