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ZTX749_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) Low Sat Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min70 at 50 mA at 2 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk集电极连续电流- 2 A
最小工作温度- 55 C功率耗散1 W

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