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ZTX756STZ

制造商：-
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：200 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：0.5 A

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产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) -	配置	Single
最大工作频率	30 MHz	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-92
封装	Box	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1000 mW

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