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ZVN2110C

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100 V
闸/源击穿电压：20 V
漏极连续电流：0.32 A

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产品属性

描述	MOSFET -	电阻汲极/源极 RDS（导通）	4000 mOhms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	E-Line-3
下降时间	7 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	700 mW	上升时间	7 ns
典型关闭延迟时间	13 ns

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