| 描述 | MOSFET N-CHAN 200V SOT223 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 320mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10 欧姆 @ 250mA，5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 85pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
