| 描述 | MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 120mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 欧姆 @ 150mA，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 700mW | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 包装 | 散装 |
