您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > zxm62n03e6tc

ZXM62N03E6TC

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
闸/源击穿电压：20 V
漏极连续电流：3.2 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性

描述	MOSFET 30V N Chnl HDMOS	配置	Single Quad Drain
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-6	封装	Reel
下降时间	5.6 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	1700 mW	上升时间	5.6 ns
典型关闭延迟时间	11.7 ns

zxm62n03e6tc的相关型号：