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ZXM66P03N8TC

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1460¥7.04
  • 2000¥6.07
  • 2500¥6.07
  • 5000¥5.30
产品属性
描述MOSFET 30V P Chnl HDMOS漏极连续电流- 7.9 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.035 Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SO-8封装Reel
下降时间16.3 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.56 W上升时间16.3 ns
工厂包装数量2500典型关闭延迟时间94.6 ns

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