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ZXMD65P03N8TC

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:4.8 A
产品属性
描述MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS配置Dual Dual Drain
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOIC-8
封装Reel下降时间6.4 ns
功率耗散2000 mW上升时间6.4 ns
典型关闭延迟时间49.5 ns

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