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ZXMN10A08GTA

制造商：Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：100 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1￥5.52
25￥4.14
100￥2.62
250￥2.00
1000￥1.73

产品属性关于Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)

描述	MOSFET 100V N-Channel 2A MOSFET	漏极连续电流	2.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.25 Ohms	配置	Single Dual Drain
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-223	封装	Reel
下降时间	3.2 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2 W	上升时间	2.2 ns
工厂包装数量	1000	典型关闭延迟时间	8 ns

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