描述 | MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.9A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 120 毫欧 @ 4A,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 303pF @ 15V |
功率 - 最大 | 625mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | ZXMN2A01FTR |