| 描述 | MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 60 毫欧 @ 2.5A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 277pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 950mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | ZXMN2F34FHTR |
大得多的 sot23 封装。该器件采用的 dfn322 无铅封装可保证热阻比同类产品低 40%，有助于降低工作温度和改善功率密度。在 4.5v 和 2.5v 的典型栅源极电压下，zxmn2f34ma 的导通电阻值分别仅有60mω和120mω。 此外，新器件的反向恢复电荷较低，可减少开关损耗和电磁辐射（emi）问题，非常适用于笔记本电脑、移动电话及通用便携式电子设备等低电压应用，这些应用需要降低在线功率损耗来延长充电间隔时间。 zxmn2f34ma 系列采用 dfn322 封装，其中 zxmn2f34fhta、zxmn2f30fhta和 zxmn3f30fhta 三款采用 sot23 封装的 n 沟道mosfet；zxmn3f31dn8 和 zxmn3g32dn8 两款则是采用 so8 封装的双 n 沟道器件。 ...
