描述 | MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 12A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 36.8nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1890pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.15W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252-3 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | ZXMN3A04KTCTR |