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ZXMP3F35N8TA

制造商：Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
产品种类：MOSFET
晶体管极性：P-Channel
汲极/源极击穿电压：- 30 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1￥5.11
10￥4.49
100￥3.45
250￥3.00
500￥2.56

产品属性关于Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)

描述	MOSFET 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	漏极连续电流	12.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.012 Ohms	配置	Dual
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8	封装	Reel
下降时间	55.6 ns	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	2.8 W	上升时间	9.9 ns
工厂包装数量	3000	典型关闭延迟时间	103 ns

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