| 工作温度范围 | -55°C 到 +150°C | 封装类型 | SOT-23 |
|---|---|---|---|
| 针脚数 | 6 | SVHC(高度关注物质) | No SVHC (18-Jun-2012) |
| SMD标号 | 2045 | hFE, 最大 | 500 |
| hFE, 最小 | 180 | 功耗 | 1.1W |
| 器件标记 | 2045 | 封装类型 | SOT-23 |
| 总功率, Ptot | 1.1W | 最大连续电流, Ic | 750mA |
| 模块配置 | 双 | 电压, Vcbo | 40V |
| 电流, Ic hFE | 100mA | 电流, Ic 最大 | 1.5A |
| 直流电流增益 hfe, 最大值 | 500 | 直流电流增益 hfe, 最小值 | 180 |
| 表面安装器件 | 表面安装 | 饱和电压, Vce sat 最大 | 375mV |
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 zetex semiconductors近日推出新型zxtc2045e6器件，它与互补npn和pnp晶体管集成在一个sot236封装内，可满足电源设计中大功率mosfet和igbt所需的驱动要求。 zetex亚洲副总裁林博文先生指出，在峰值脉冲电流高达5a的情况下，这款新型双极器件能加快栅极电容的充电和放电速度，从而提升效率。由于npn和pnp器件的射极引脚互相分开，有助于设计人员自由选择独立的电阻值，更准确地控制栅极充电和放电周期。 这款双晶体管采用sot236封装，占板面积只有9 mm2 ，板外高度仅为1.3mm，有助于减少电路板尺寸，提高功率密度。器件的额定工作电压为40v，典型增益为300，适用于各种栅极驱动器电路。 ...
(电子市场网讯) 模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetex semiconductors近日推出新型zxtc2045e6器件，它与互补npn和pnp晶体管集成在一个sot236封装内，可满足电源设计中大功率mosfet和igbt所需的驱动要求。 zetex亚洲副总裁林博文先生指出，在峰值脉冲电流高达5a的情况下，这款新型双极器件能加快栅极电容的充电和放电速度，从而提升效率。由于npn和pnp器件的射极引脚互相分开，有助于设计人员自由选择独立的电阻值，更准确地控制栅极充电和放电周期。 这款双晶体管采用sot236封装，占板面积只有9 mm2 ，板外高度仅为1.3mm，有助于减少电路板尺寸，提高功率密度。器件的额定工作电压为40v，典型增益为300，适用于各种栅极驱动器电路。 ...
