| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS | 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 45 | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92 | 封装 | Box |
| 集电极连续电流 | 200 mA | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 625 mW | 工厂包装数量 | 2500 |
电路结合噪音，它的特点是：带有像741集成电路运放器的简单和高开环离散设计。晶体管可以是2n3708，bc109或同等的。输出阻抗足够低来直接驱动耳机。-- d.r. hedgeland，前置运算放大器，无线世界，1972年12月，p575。 来源:zhengyuan ...
【Central Semiconductor】2N3708 LEADFREE,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS sistors
【Central Semiconductor】2N3710,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
【Central Semiconductor】2N3711,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
【Central Semiconductor】2N3713,Transistors Bipolar (BJT) NPN GP Power
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