| 描述 | TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT | 晶体管类型 | NPN，PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 15mA，150mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 10μA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V | 功率 - 最大值 | 350mW |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-扁平封装 |
| 供应商器件封装 | 6-扁平封装 |
