| 描述 | POWER BJT | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 1A，1V | 功率 - 最大值 | 40 W |
| 频率 - 跃迁 | 20MHz | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 接线柱安装 | 封装/外壳 | TO-210AA，TO-59-4，接线柱 |
| 供应商器件封装 | TO-59 |
【Fairchild Semiconductor】2N3859A,TRANSISTOR NPN 60V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N3859A_D75Z,TRANSISTOR NPN 60V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N3859A_J05Z,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】2N3859A_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Central Semiconductor】2N3860,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
