您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > 2n5462g
  • 2N5462G

2N5462G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92漏极至源极电压(Vdss)-
漏极电流 (Id) - 最大-FET 型P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)40V电压 - 切断 (VGS 关)@ Id1.8V @ 1?A
输入电容 (Ciss) @ Vds7pF @ 15V电阻 - RDS(开)-
安装类型通孔包装散装
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 标准主体供应商设备封装TO-92-3
功率 - 最大350mW

“2N5462G”技术资料

  • 2N5462G的技术参数

    产品型号:2n5462g零门极电压最小耗尽电流idss min (?a):4000零门极电压最大耗尽电流idss max (?a):6000门极-源极雪崩电压vgss min (v):40输入电容ciss max (pf):7反向最大传递电容crss max (pf):2沟道极性:p封装/温度(℃):to92/-55~150价格/1片(套):¥1.20 来源:xiangxueqin ...

2n5462g的相关型号: