| 描述 | TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT | 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | - | 电压 - 集射极击穿（最大值） | - |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 10μA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V | 功率 - 最大值 | - |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | 6-SMD |
【Central Semiconductor】2N5817,Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor
【Central Semiconductor】2N5818,Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
【Central Semiconductor】2N5819,Transistors Bipolar (BJT) PNP Med Power
【Central Semiconductor】2N5823,Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor
【Fairchild Semiconductor】2N5830,IC TRANS NPN SS HV 200MA TO-92