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2N6650

参考价格

产品属性关于Central Semiconductor(Central Semiconductor,Central Semiconductor)

描述	Transistors Darlington PNP Pwr Darlington	发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
集电极—基极电压 VCBO	80 V	最大直流电集电极电流	10 A
功率耗散	100 W	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-3
封装	Sleeve	直流集电极/Base Gain hfe Min	1000
最小工作温度	- 65 C	工厂包装数量	20