您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > 2n6660-e3

2N6660-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：60 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

发布求购更多供应商

参考价格

数量单价
1￥276.07
25￥248.61
50￥203.41
100￥168.02
200￥159.39

产品属性

描述	MOSFET 60V 0.99A	漏极连续电流	1.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	3 Ohms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Stud
封装 / 箱体	TO-205AD	封装	Bulk
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	6.25 W
工厂包装数量	100

2n6660-e3的相关型号：