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2N6661-E3

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N Channel
汲极/源极击穿电压：90 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1￥347.76
25￥325.61
50￥303.53
100￥281.52
200￥273.24

产品属性

描述	MOSFET 90V 0.9A	漏极连续电流	0.86 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	4000 mOhms	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Stud
封装 / 箱体	TO-205AD	封装	Bulk
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	725 mW
工厂包装数量	100

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