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  • 2N6661JTX02

2N6661JTX02

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  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 90V 860MA TO39FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)90 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)860mA(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4 欧姆 @ 1A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)725mW(Ta),6.25W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-39
封装/外壳TO-205AD,TO-39-3 金属罐

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