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2N6732STZ

制造商：-
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：1 A

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产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) -	直流集电极/Base Gain hfe Min	100 at 10 mA at 2 V
配置	Single	最大工作频率	500 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92	封装	Box
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	1000 mW

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