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  • 2N7000RLRPG

2N7000RLRPG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 25V
功率 - 最大350mW安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线供应商设备封装TO-92-3
包装带盒(TB)

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