| 晶体管类型 | NPN | 最大功率耗散 | 2000 mW |
|---|---|---|---|
| 最大发射极-基极电压 | 5 V | 最大直流集电极电流 | 3 A |
| 最大集电极-发射极电压 | 50 V | 最大集电极-发射极饱和电压 | 0.6 V |
| 最大集电极-基极电压 | 50 V | 最小直流电流增益 | 120 V |
| 最高工作温度 | +150 °C | 最高工作频率 | 80 MHz |
| 每片芯片元件数目 | 1 | 类别 | 双极功率 |
| 配置 | 单 | 长度 | 10mm |
| 高度 | 8.1mm |
【Shindengen】2SC4940-7000,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4940-7012,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4940-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4940-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=550 IC=4 HFE=10
【Shindengen】2SC4941-7100,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=6 HFE=15
【Shindengen】2SC4941-7112,Transistors Bipolar (BJT) VCEO=800 IC=6 HFE=15
