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  • 3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 9000$0.07866
描述MOSFET N-CH 30V 150MA 3CPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.7 欧姆 @ 80mA,4VId 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs1.58nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds7pF @ 10V
功率 - 最大250mW安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装3-CP
包装带卷 (TR)

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