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3N163-E3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:40 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥186.16
  • 25¥167.39
  • 50¥159.39
  • 100¥152.70
  • 200¥146.97
产品属性
描述MOSFET 40V 5mA 375mW漏极连续电流0.05 A
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体TO-206AF-4
封装Bulk最小工作温度- 55 C
功率耗散375 mW上升时间13 ns
工厂包装数量200典型关闭延迟时间25 ns

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