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ALD1109EPAL

描述MOSFET Dual N-Ch Pair Array漏极连续电流12 mA
电阻汲极/源极 RDS(导通)500 Ohms安装风格Through Hole
封装 / 箱体PDIP-8正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.0014 S
功率耗散500 mW工厂包装数量50

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