| 描述 | MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch | 漏极连续电流 | 3 mA |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 500 Ohms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 70 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | PDIP-8 | 最小工作温度 | 0 C |
| 功率耗散 | 600 mW | 工厂包装数量 | 50 |
【Advanced Linear Devices】ALD1121EPAL,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1121ESA,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1121ESAL,MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123EPC,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123EPCL,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123ESC,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch
【Advanced Linear Devices】ALD1123ESCL,MOSFET Quad EPAD(R) N-Ch