| 描述 | MOSFET P-CH -30V -6.1A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 46 毫欧 @ 6.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.3nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1128pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | Digi-Reel? | 其它名称 | 785-1019-6 |
赘，c2电容增大到3.1 μf。在此条件下做对比实验，ao4407a的电路开关1～2次就损坏了，因ao4407a的热阻较高为40℃/w。而aod413a的电路开关多次，仍然可以正常工作。因为aod413a具有较低的热阻（25℃/w）和较大的耗散功率，因此，在较长的米勒平台的时间内产生的热量可以充分的消散，局部过热产生的热不平衡的影响减小。实验波形如图2（c）、（d）所示。 3.2 阈值电压的影响 通常对于功率mos管，不同的阈值电压对应于不同的转折电压，阈值电压越低，转折电压也越低。选用ao4403和ao4407a作对比实验，均为so8封装，阈值电压不同，两个mos管具体的参数如表2所示。输入电压为12 v，r2=100 kω，c2=1 μf，可以看到两者具有相同的2.7 a浪涌电流，ao4403的米勒平台时间约为124 ms，米勒平台电压为-1 v；ao4407a的米勒平台时间约为164 ms，米勒平台电压为-3.6 v。因此，同样的外部参数，由于ao4403具有低阈值电压，米勒平台时间短，使得开通过程中产生的损耗减小，从而减小了系统的热不平衡，提高了系统的可靠性。实验波形如图2（e）、 ...
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