| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道互补型 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc），12A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 395pF @ 15V，730pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 19W（Tc），30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商器件封装 | TO-252-4L |
