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AON5802B

  • 制造商:-
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 N 沟道(双)共漏
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.186
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2X5FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 7A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 15V
功率 - 最大1.6W安装类型表面贴装
封装/外壳6-WFDFN 裸露焊盘供应商设备封装6-DFN(2x5)
包装带卷 (TR)

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