| 描述 | 30V COMPLEMENTARY MOSFET | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta），7A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250μA，2.6V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 15nC @ 10V，24nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 395pF @ 15V，730pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.6W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 12-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 12-DFN-EP（4x3） |
