| 描述 | MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路） | FET 功能 | 超级结 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 83 毫欧 @ 24.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 250nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7200pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 250W | 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SP1 |
| 供应商器件封装 | SP1 |
