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APTM100DDA35T3G

  • 制造商:-
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 11$75.93636
产品属性
描述MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C420 毫欧 @ 11A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs186nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds5200pF @ 25V
功率 - 最大390W安装类型底座安装
封装/外壳SP3供应商设备封装SP3
包装散装

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