| 描述 | MOSFET 4N CH 1000V 18A SP4 | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 154nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 357W | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP4 | 供应商设备封装 | SP4 |
| 包装 | 散装 |
