| 描述 | TRANSISTOR GEN PURP TO-39 | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1V @ 100mA，1A | 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 100mA，1V | 功率 - 最大 | 650mW |
| 频率 - 转换 | 50MHz | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 | 供应商设备封装 | TO-39 |
| 包装 | 散装 | 其它名称 | 497-7164BC141-16-ND |
