| 描述 | TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 40 @ 150mA，2V |
| 功率 - 最大 | 625mW | 频率 - 转换 | 200MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 | 包装 | 散装 |
| 其它名称 | BC639OS |
况下测得的输出纹波电压为800mvpp。若要进一步减小纹波，就需要提高电源电压并改变r1（6.8kω）的阻值，使调压器产生1v的附加压降。此外，必须考虑晶体管t1和t2的阈值，实际上t1不同的hfe可能会引起输出电压过高或过低。此时就需要改变r1的阻值来进行补偿，这是该简单电路唯一的缺点。 晶体管t3通过控制t1的基极电压来限制输出电流，以便使输出电流达到由r4两端压降决定的最大值。t2使用bd912大功率晶体管，它能承受的最大电流为15a，必要时也可减小r4的阻值来增大输出电流。t3（bc639）的最大电流是1a（峰值可达1.5a）。在27v电源电压和空载（或输出突然出现短路）的情况下，r2将流过t3的电流限制到1a，此时c1放电，r2保持较小功耗。 表1 本功放的主要性能（电源电压=24vdc，it2/t3=1.28a） 项目 测试条件 性能指标 输入灵敏度 p=4w/8ω 0.47v 放大系数 vin=10mv 13 最大输出功率 8ω，thd+n=10%，1khz正弦波信号 4 ...
相关元件pdf下载：bc639 镉镍电池的最大缺点是存在记忆效应,消除记忆效应的一种有效方法是:每到镉镍电池的第三次或者第四次充电之前先对镉镍电池进行一次完全放电,即放电到单节镉镍电池电压下降到0.75v时再给镉镍电池充电.这种方法可以使镉镍电池及时恢复容量以保证正常使用,但每次放电的终止电压每节镉镍电池不得低于0.65v,否则镉镍电池会因为过度放电而出现极性反转而损坏.镉镍电池放电器电路如下图所示 ...
三极管bc639,bc640，vceo测试结果 每种测试了6只，基本bc639都在50v－52v之间烧，bc640在－60～－62v之间烧怎么和datasheet给的80v差这么多？是不是买的是假的？sot-223封装，上面分别写着？t1a和t2a哪位大侠用过啊？ ...
【NXP Semiconductors】BC639 AMO,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP AMMO WIDE PITCH
【NXP Semiconductors】BC639 T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE RADIAL
【Fairchild Semiconductor】BC639_D11Z,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】BC639_D26Z,TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92
【Fairchild Semiconductor】BC639_D27Z,TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92