| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN BIPOLAR | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 110 at 2 mA at 5 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 300 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-323 |
| 封装 | Reel | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 200 mW | 工厂包装数量 | 3000 |
【COMCHIP TECHNOLOGY】BC848AW-G,Transistors Bipolar (BJT) 30V, .1A
【ON Semiconductor】BC848AWT1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V NPN
【ON Semiconductor】BC848AWT1G,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V NPN
【Taiwan Semiconductor】BC848B,Transistors Bipolar (BJT) Transistor 200mW
【NXP Semiconductors】BC848B /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-13