| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN BIPOLAR | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 420 at 2 mA at 5 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 300 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 300 mW | 工厂包装数量 | 3000 |
【ON Semiconductor】BC848CDW1T1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V Dual NPN
【ON Semiconductor】BC848CDW1T1G,TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363
【ON Semiconductor】BC848CDXV6T1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V Dual NPN
【ON Semiconductor】BC848CDXV6T1G,TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-563
【ON Semiconductor】BC848CDXV6T5G,TRANS NPN DUAL LP 30V SOT563