| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) Transistor PNP | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 125 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 100 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-23 |
| 封装 | Reel | 功率耗散 | 250 mW |
| 工厂包装数量 | 3000 |
【NXP Semiconductors】BC856AT T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC856AT,115,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SC-75
【NXP Semiconductors】BC856AW /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC856AW T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC856AW,115,TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323