您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > bc856bdw1t1g
  • BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.03979
  • 6000$0.0346
  • 15000$0.02941
  • 30000$0.02768
  • 75000$0.02595
描述TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)65VIb、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大)-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA,5V
功率 - 最大380mW频率 - 转换100MHz
安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363包装带卷 (TR)
其它名称BC856BDW1T1G-NDBC856BDW1T1GOSTR

“BC856BDW1T1G”技术资料

  • BC856BDW1T1G的技术参数

    产品型号:bc856bdw1t1g类型:双pnp集电极-发射集最小雪崩电压vceo(v):65集电极最大电流ic(max)(ma):100直流电流增益hfe最小值(db):220直流电流增益hfe最大值(db):475最小电流增益带宽乘积ft(mhz):100封装/温度(℃):sot-363/-55~150价格/1片(套):¥.40 来源:零八我的爱 ...

bc856bdw1t1g的相关型号: