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BC856BRTC

制造商：-
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：65 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：0.1 A

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产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) -	直流集电极/Base Gain hfe Min	220 at 2 mA at 5 V
配置	Single	最大工作频率	150 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23	封装	Reel
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	330 mW

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