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BC858AW-7

  • 制造商:Diodes Inc.(Diodes Inc.,Diodes Inc.)
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
描述Transistors Bipolar (BJT) PNP BIPOLAR最大直流电集电极电流0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min125 at 2 mA at 5 V配置Single
最大工作频率200 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-323
封装Reel最小工作温度- 65 C
功率耗散200 mW工厂包装数量3000

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